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IGBT雙脈沖測(cè)試原理解析

通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個(gè)性化的,往往會(huì)有所不同,因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。 因此可以通過雙脈沖測(cè)試,對(duì)IGBT的性能進(jìn)行更為準(zhǔn)確的評(píng)估。 雙脈沖測(cè)試的主要功能如下: 1、測(cè)量IGBT的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)(td>r、Eon、td off、tf、Eoff?等); 2、通過觀察IGBT的柵極波形,評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板是否能為IGBT開啟提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流; 3、獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù),以評(píng)估Rgon與Rgoff的選擇是否合適; 4、觀察開通、關(guān)斷過程是否有電壓尖峰,評(píng)估實(shí)際應(yīng)用是否需要吸收電路; 5、評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量; 6、測(cè)量母排的雜散電感;




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