功率器件測試系統(tǒng)功率循環(huán)對各種功率器件進行功率循環(huán)老化試驗，模擬器件在不同功率工況下的退化情 況，通過加熱與冷卻過程的控制，對封裝、溝道 或者內(nèi)部鍵合絲進行熱疲勞試驗。 功率循環(huán)試驗系統(tǒng)適用范圍：適用于各種封裝的IGBT模塊、SiC模塊、二極管模塊等進行PCsec、PCmin、K Factor、Rth/Zth、SOA、瞬 態(tài)熱阻曲線試驗。 • 測試通道：12 • 最大測試電流 1800A • 最大電壓 48V • 最大試驗溫度 200°℃ • 柵極控制電壓 ±15V • 測試電流分辨率 10m 雪崩特性是MOS 在關(guān)斷狀態(tài)下，能承受瞬時過壓能力的指標(biāo)，一般用單脈沖最大雪崩能力EAS表示。 雪崩特性測試，又稱單脈沖非鉗位電感開關(guān)測試（Single Pulse Unclamped Inductive Switching），即UIS測試。 • 電源電壓：20-3000V • 雪崩電流： 0.01A-200A • 電感 ：50uH~100mH • 電壓波形：方波 • 脈沖寬度：100uS-800mS • 測試頻率： 單次/重復(fù)