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晶合集成取得晶體管測(cè)試方法

晶體管測(cè)試儀該晶體管測(cè)試方法包括：向待測(cè)晶體管的柵極施加工作電壓，將待測(cè)晶體管的源極接地，根據(jù)施加于待測(cè)晶體管漏極的第一測(cè)試電壓與第一測(cè)試電壓作用下的第一測(cè)試電流的變化關(guān)系，得到第一電流?電壓特性曲線；繼續(xù)向柵極施加工作電壓，將漏極接地，根據(jù)施加于源極的第二測(cè)試電壓與第二測(cè)試電壓作用下的第二測(cè)試電流的變化關(guān)系

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2024-11

三極管測(cè)試儀教你三極管檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)和技巧有哪些

 發(fā)布時(shí)間： 2024-11--01

三極管測(cè)試儀測(cè)量PN結(jié)。三極管是以基極為連接點(diǎn)的二個(gè)PN結(jié)，這二個(gè)PN結(jié)正常，三極管基本就是好的。測(cè)量放大倍數(shù)。既β值，數(shù)字表有三極管插座，插上就可以測(cè)量。指針表可以用手捏住集電極，舌尖添基極的方法估計(jì)放電倍數(shù)，這是50-60年前普遍的測(cè)量方法，現(xiàn)在可能沒(méi)人用了。

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2024-10

三極管測(cè)試儀告訴你幾種常見(jiàn)三極管的檢測(cè)方法

 發(fā)布時(shí)間： 2024-10--24

三極管測(cè)試儀三極管的種類繁多，常見(jiàn)的有NPN三極管、PNP三極管、功率三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等。不同種類的三極管具有不同的特性和應(yīng)用范圍，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求選擇合適的型號(hào)。一、三極管的類型三極管根據(jù)其結(jié)構(gòu)和特性可以分為多種類型，下面介紹幾種常見(jiàn)的三極管類型： 1. NPN三極管：NPN三極管是一種常見(jiàn)的三極管類型，由兩個(gè)N型半導(dǎo)體夾一個(gè)P型半導(dǎo)體構(gòu)成。在工作時(shí)，當(dāng)基極電壓為正，電子從發(fā)射極流

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2024-09

雷擊浪涌試驗(yàn)裝置應(yīng)用范圍和方法

 發(fā)布時(shí)間： 2024-09--20

浪涌測(cè)試儀CE這是一個(gè)安全認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，被視為制造商打開(kāi)并進(jìn)入歐洲市場(chǎng)的護(hù)照。從2013年1月2日起，所有進(jìn)入歐洲市場(chǎng)的電子和電氣產(chǎn)品都應(yīng)該貼上標(biāo)簽CE電磁兼容的標(biāo)志（EMC）測(cè)試則是CE認(rèn)證中一塊認(rèn)證測(cè)試。EMC試驗(yàn)包括輻射干擾度（EMI），靜電放電干擾度（ESD），電快速瞬變脈沖群抗擾度（EFT），電壓下降干擾度（CSS）雷擊浪涌干擾度（SG）。本文主要討論雷擊浪涌測(cè)試。試驗(yàn)方法：

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2024-09

三極管測(cè)試儀晶體三極管怎么測(cè)量好壞

 發(fā)布時(shí)間： 2024-09--12

?三極管測(cè)試儀為了測(cè)量晶體三極管的好壞，需要使用一些工具，如萬(wàn)用表、示波器、信號(hào)發(fā)生器等。其中，最常用的工具是萬(wàn)用表。要測(cè)量晶體三極管的好壞，可以采取以下步驟： 1. 使用萬(wàn)用表的二極管測(cè)試功能，測(cè)試三極管的發(fā)射極、基極和集電極之間的二極管特性。正常工作的三極管，發(fā)射極和基極之間的二極管是正向?qū)ǖ?，而基極和集電極之間的二極管是反向截止的。 2. 使用萬(wàn)用表的電阻測(cè)試功能，測(cè)試三極管的發(fā)射極到基極、發(fā)射極到集電極、基極到集電極之間的電阻值。

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2024-09

功率半導(dǎo)體分立器件基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)介紹

 發(fā)布時(shí)間： 2024-09--12

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。功率半導(dǎo)體大致可分為功率半導(dǎo)體分立器件（Power Discrete，包括功率模塊）和功率半導(dǎo)體集成電路（Power IC）兩大類，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的結(jié)構(gòu)關(guān)系如圖所示。其中，功率半導(dǎo)體分立器件是指被規(guī)定完成某種基本功能，并且本身在功能上不能再細(xì)分的半導(dǎo)體器件。功率半導(dǎo)體分立器件工藝流程功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進(jìn)行芯片封裝，對(duì)加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測(cè)試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴(kuò)散工藝等。 . 外延工藝技術(shù) 對(duì)于Si功率半導(dǎo)體器件

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